10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz? 1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz? 容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz? 2、測(cè)量?jī)x器的區(qū)別對(duì)丈量成果的影響...." />

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貼片電容容值偏低的原因及解決方法

更新時(shí)間：2017-01-11 19:02:08 點(diǎn)擊次數(shù)：5225次
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1、測(cè)驗(yàn)條件對(duì)測(cè)量成果的影響

首先思考測(cè)量條件的疑問(wèn)，關(guān)于不一樣容值的貼片電容會(huì)選用不一樣的測(cè)驗(yàn)條件來(lái)測(cè)量容值，首要在測(cè)驗(yàn)電壓的設(shè)定和測(cè)驗(yàn)頻率的設(shè)定上有區(qū)別，下表所示為不一樣容值的量測(cè)條件:
電容 AC 電壓 頻率
容量>10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz
1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz
容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz

2、測(cè)量?jī)x器的區(qū)別對(duì)丈量成果的影響.

大容量的電容（一般指1UF以上）測(cè)量時(shí)更簡(jiǎn)單呈現(xiàn)容值偏低的景象，形成這種景象的首要要素是施加在電容兩頭的實(shí)踐電壓不能到達(dá)測(cè)驗(yàn)條件所需要的電壓，這是因?yàn)榧釉陔娙輧深^的測(cè)驗(yàn)電壓因?yàn)閮x器內(nèi)部阻抗分壓的要素與實(shí)踐顯示的設(shè)定電壓不共同。為了使測(cè)量成果差錯(cuò)降到最低,咱們主張將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)踐加在電容兩頭所測(cè)的電壓盡量調(diào)整,使實(shí)踐于待測(cè)電容上輸?shù)某鲭妷汗餐?

留意： 上表中所示的電壓是指實(shí)踐加在測(cè)驗(yàn)電容兩頭的有效電壓（抱負(fù)電壓）。
因?yàn)闇y(cè)驗(yàn)儀器的要素，加在電容兩頭實(shí)踐的輸出電壓與設(shè)定的測(cè)量電壓(抱負(fù)電壓）實(shí)踐上可能會(huì)有所收支。

3、影響高容量電容容值丈量偏低的要素


（1） 測(cè)驗(yàn)儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.
因?yàn)椴灰粯拥臏y(cè)驗(yàn)儀器之間的內(nèi)部阻抗都不一樣，形成儀器將總電壓分壓而使加在測(cè)驗(yàn)電容兩頭的實(shí)踐電壓變小。在實(shí)踐的測(cè)驗(yàn)過(guò)程中，咱們有必要先運(yùn)用萬(wàn)用表等東西測(cè)驗(yàn)夾具兩頭的實(shí)踐電壓，以斷定加在測(cè)驗(yàn)貼片電容兩頭的輸出電壓。
（2）不一樣阻抗的測(cè)驗(yàn)儀器的輸出電壓比照如下：
儀器內(nèi)阻100Ω
1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V
10uF測(cè)驗(yàn)電容的兩頭電壓 ：
1V * [ 16Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.14V
均勻電容值讀數(shù) ： 6-7μF
儀器內(nèi)阻1.5Ω：
1V * [1.5Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.086V
10uF測(cè)驗(yàn)電容兩頭電壓 ：
1V * [16Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.914V
均勻電容量值讀數(shù) ： 9-10μF

4、測(cè)量環(huán)境條件對(duì)丈量成果的影響

貼片陶瓷電容（X7R/X5R/Y5V）系列商品被稱為非溫度補(bǔ)償性元件,即在不一樣的工作溫度環(huán)境下,電容量會(huì)有比較顯著的改變，在不一樣的工作溫度下，電容標(biāo)稱容值與實(shí)踐容值之間的區(qū)別。例如，在40℃時(shí)的測(cè)驗(yàn)容量將比25℃時(shí)的測(cè)驗(yàn)容量低了挨近20%。由此可以看出，在外部環(huán)境溫度比較高的情況下,電容容值的測(cè)驗(yàn)值就會(huì)顯的偏低。咱們一般主張放置在20℃的環(huán)境下一段時(shí)刻,使資料處于安穩(wěn)的測(cè)驗(yàn)環(huán)境下再進(jìn)行容值測(cè)驗(yàn)。

5、貼片陶瓷電容商品資料老化景象

資料老化是指電容的容值隨著時(shí)刻下降的景象，這再一切以鐵電系資料做介電質(zhì)的資料商品中均有發(fā)作，是一種天然的不可避免的景象。要素是因?yàn)閮?nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨溫度和時(shí)刻產(chǎn)生了改變致使了容值的下降，歸于可逆景象。當(dāng)對(duì)老化的資料施加高于資料居里溫度段時(shí)刻后（主張進(jìn)行容值康復(fù)所運(yùn)用之條件為150℃/1hour），當(dāng)環(huán)境溫度康復(fù)到常溫后（常溫25℃下放置24小時(shí)）,資料的分子結(jié)構(gòu)將會(huì)回到初始的狀態(tài)。資料將由此開端老化的又一個(gè)循環(huán)，貼片電容的容值將康復(fù)到正常標(biāo)準(zhǔn)以內(nèi)。

用以下方法驗(yàn)證：把測(cè)驗(yàn)容量偏低的電容器浸在錫爐或許過(guò)回流焊后，再進(jìn)行測(cè)驗(yàn)，容值會(huì)康復(fù)到正常規(guī)模以內(nèi)?？蛻粼谏唐凡簧暇€前，事先進(jìn)行容值康復(fù)工作，只需要將電容置PCB板上正常出產(chǎn)加工時(shí)，電容通過(guò)回流焊或許波峰焊后，就會(huì)康復(fù)到正常的容值規(guī)模了。


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